【製品導入】
材料特性
パラメータ | 特性 | ASTM制御方法 |
タイプ/ドーパント | P、ホウ素N、リンN、アンチモンN、ヒ素 | F42 |
オリエンテーション | <100>、<111>は顧客の仕様に従って方向を切り落とします | F26 |
酸素含有量 | 10 18 ppmA顧客仕様ごとのカスタム許容誤差 | F121 |
炭素含有量 | <0.5> | F123 |
比抵抗範囲 - P、ホウ素 - N、リン - N、アンチモン - N、ヒ素 | 0.001〜50オーム・cm | F84 |
機械的性質
パラメータ | プライム | モニター/テストA | テスト | ASTM法 |
直径 | 100±0.2 mm | 100±0.2 mm | 100±0.5 mm | F613 |
厚さ | 525±20 µm（標準） | 525±25μm（標準）381±25μm625±25μm700±25μm800±25μm1000±25μm1500±25μm | 525±50 µm（標準） | F533 |
TTV | <5> | <10> | <15> | F657 |
弓 | <30> | <30> | <40> | F657 |
ラップ | <30> | <30> | <40> | F657 |
エッジ丸め | SEMI-STD | F928 | ||
マーキング | SEMI-STDフラット、一次SEMI-フラットのみ | F26、F671 | ||
表面品質
パラメータ | プライム | モニター/テストA | テスト | ASTM法 |
前面基準 | ||||
表面状態 | ケミカルメカニカルポリッシュ | ケミカルメカニカルポリッシュ | ケミカルメカニカルポリッシュ | F523 |
表面粗さ | <2> | <2> | <2> | |
汚染、パーティクル@> 0.3 µm | = 20 | = 20 | = 30 | F523 |
ヘイズ、ピット、オレンジピール | 無し | 無し | 無し | F523 |
のこぎり、条線 | 無し | 無し | 無し | F523 |
裏面基準 | ||||
ひび、しわ、しみ、しみ | 無し | 無し | 無し | F523 |
表面状態 | 苛性エッチング | F523 | ||
【 商品説明 】
マイクロエレクトロニクスの製品ラインには、片面研磨（SSP）と両面研磨（DSP）の両方のウェハ基板が含まれています。 両面研磨ウェーハは、通常、半導体、ＭＥＭＳ、および厳密に制御された平坦度特性を有するウェーハが必要とされる他の用途において必要とされる。
私達はまた長方形および正方形のウェーハ部分を提供します。 シリコンウェハのための基本的に実現可能なエッジ長の範囲は、５×５ｍｍ ２…１００×１２０ｍｍ ２などである。コスト／ウェハ片は、必要とされるウェハ片の数と同様に材料にも依存する。
あなたの要求に従ってカスタマイズされたダイシングそして磨くこともまた利用できる。 お気軽にお問い合わせ下さい。
【 商品の特徴 】
・ 4 "P / Nタイプ、研磨シリコンウェハ（25個）
・ オリエンテーション：100
・ 比抵抗：0.1〜40Ω・cm（バッチごとに異なります）
・ 厚さ：525 +/- 20um
・ プライム/モニター/テストグレード
人気ラベル: 4インチ（100mm）ウェーハ、中国、サプライヤー、メーカー、工場、中国製
