Nタイプ158.75mm単結晶太陽ウエハー

Nタイプ158.75mm単結晶太陽ウエハー

モノシウエハースでは、158.75mmフルスクエアが今年下半期までに最も採用されたデザインになります。これより大きいウエハースを使用しているメーカーはごくわずかです。例えば、LGとハンファQセルズはM4ウエハー(161.7mm)を使用し、ロンギは166mmウエハースを推進しています。 最先端のフルスクエアモノウエハーは、正方形の尺度を拡大することにより、マルチウエハの同じレベルへの光暴露を最大化しました。ウエハーは常に完全に正方形であるため、PVモジュールに最適な方法でフィットします。
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説明
技術的なパラメーター

CZ silicon crystal growth


158.75mm full square monocrystalline solar wafer


モノシウエハースでは、158.75mmフルスクエアが今年下半期までに最も採用されたデザインになります。これより大きいウエハースを使用しているメーカーはごくわずかです。例えば、LGとハンファQセルズはM4ウエハー(161.7mm)を使用し、ロンギは166mmウエハースを推進しています。

最先端のフルスクエアモノウエハーは、正方形の尺度を拡大することにより、マルチウエハの同じレベルへの光暴露を最大化しました。ウエハーは常に完全に正方形であるため、PVモジュールに最適な方法でフィットします。 

 

1      材料特性

 

財産

仕様

検査方法

成長法

CZ


結晶

単結晶性

優等エッチング技術(ASTM F47-88)

導電タイプ

N型

ナップソン EC-80TPN

ドーパント

燐

-

酸素濃度[大井]

≦8E +17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

炭素濃度[Cs]

≦5E +16 アット/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

エッチングピット密度(転位密度)

≦500 cm-3

優等エッチング技術(ASTM F47-88)

表面の向き

<100>±3°

X線回折法(ASTM F26-1987)

擬似四角辺の向き

<010>,<001>±3°

X線回折法(ASTM F26-1987)

 

2      電気特性

 

財産

仕様

検査方法

比 抵抗

0.3-2.1 Ω.cm

1.0-7.0 Ω.cm

ウエハ検査システム

MCLT (マイノリティキャリアの寿命)

≧1000 μs(抵抗率 0.3~2.1 Ω.cm)
≧500 μs(比 抵抗1.0-7.0 Ω.cm)

シントン過渡現象

 

3      幾何学

 


財産

仕様

検査方法

幾何学

フルスクエア


ウェーハ側の長さ

158.75±0.25 mm

ウエハー検査システム

ウェーハ径

φ223±0.25mm

ウエハー検査システム

隣接する辺の間の角度

90°± 0.2°

ウエハー検査システム

厚さ

180﹢20/﹣10 μm;

170﹢20/﹣10 μm

ウエハー検査システム

TTV(総厚さ変動)

≤27 μm

ウエハー検査システム



 image



4      サーフェスプロパティ

 

財産

仕様

検査方法

切削方法

DW

--

表面品質

カットおよびクリーニング、目に見える汚染(油やグリース、フィンガープリント、石鹸の汚れ、スラリー汚れ、エポキシ/接着剤の汚れは許可されていません)

ウエハー検査システム

ソーマーク/ステップ

≤ 15μm

ウエハー検査システム

弓

≤ 40 μm

ウエハー検査システム

縦糸

≤ 40 μm

ウエハー検査システム

欠く

深さ≤0.3mmおよび長さは0.5mm最大2/pcs≤。  Vチップなし

裸眼またはウエハー検査システム

マイクロクラック/穴

禁じられた

ウエハー検査システム




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