工業生産で最高の効率を特徴とするセル技術がN型Cz-Siウェーハに基づいているという事実は、n型ウェーハが高効率太陽電池に最適な材料である理由の印象的なデモンストレーションです。 詳細に入ると、NタイプとPタイプの優位性にはいくつかの物理的な理由があります。最も重要なものは次のとおりです。
ホウ素が存在しないため、ホウ素-酸素錯体によるp型Siウェーハでの光誘起劣化（LID）は発生しません。
N型Siは顕著な金属不純物に対する感度が低いため、一般に、n型Cz-Siの少数キャリア拡散長はp型Cz-Siと比較して大幅に長くなります。
NタイプSiは、B拡散などの高温プロセス中に劣化する可能性が低くなります。
1 材料特性
プロパティ | 仕様 | 検査方法 |
成長法 | CZ | |
結晶化度 | 単結晶 | 優先エッチング技術（ASTMF47-88） |
導電率タイプ | N型 | ナプソンEC-80TPN |
ドーパント | リン | - |
酸素濃度[Oi] | ≦8E+17at/ cm3 | FTIR（ASTM F121-83） |
炭素濃度[Cs] | ≦5E+16at/ cm3 | FTIR（ASTM F123-91） |
エッチングピット密度（転位密度） | ≦500cm-3 | 優先エッチング技術（ASTMF47-88） |
表面配向 | & lt; 100>±3° | X線回折法（ASTM F26-1987） |
疑似正方形の辺の向き | & lt; 010>、& lt; 001>±3° | X線回折法（ASTM F26-1987） |
2 電気的性質
プロパティ | 仕様 | 検査方法 |
抵抗率 | 0.2-2.0Ω.cm 0.5-3.5Ω.cm 1.0-7.0Ω.cm 1.5〜12Ω.cm その他の抵抗率 | ウェーハ検査システム |
MCLT（マイノリティキャリアの寿命） | ≧1000 μs（抵抗率& gt; 1ΩCM） | シントントランジェント |
3 ジオメトリ
プロパティ | 仕様 | 検査方法 |
ジオメトリ | 疑似スクエア | |
斜角エッジ形状 | 円形 | |
ウェーハサイズ （辺の長さ*辺の長さ*直径 | M0: 156*156*ϕ210 mm M1: 156.75*156.75* ϕ205mm M2: 156.75*156.75* ϕ210 mm | ウェーハ検査システム |
隣接する辺の間の角度 | 90±3° | ウェーハ検査システム |
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