Pタイプフルスクエア単結晶ソーラーウェーハ

Pタイプフルスクエア単結晶ソーラーウェーハ

1つの方法論は、単結晶ウェーハ全体の幅を125mmから156mmに増やすルートに従い、158.75mmの疑似正方形単結晶ウェーハまたは完全な正方形の単結晶ウェーハ(ウェーハ直径223mm)などのモジュールのサイズを増やすことです。 158.75mmの完全な正方形の単結晶ウェーハ(ウェーハ直径223mm)は、M2フォーマットと比較してウェーハ面積を約3.1%増加させ、60セルモジュールの電力を約10Wp増加させます。
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説明
技術的なパラメーター


158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


1つの方法論は、単結晶ウェーハ全体の幅を125mmから156mmに増やすルートに従い、158.75mmの疑似正方形などのモジュールのサイズを増やすことです。単結晶ウェーハまたはフルスクエア単結晶ウェーハ(ウェーハ径223mm)。 ザ・158.75mmフルスクエア単結晶ウェーハ(ウェーハ径223mm)M2フォーマットと比較してウェーハ面積が約3.1%増加し、60セルモジュールの電力が約10Wp増加します。


1 材料特性

プロパティ

仕様

検査方法

成長法

CZ


結晶化度

単結晶

優先エッチング技術(ASTMF47-88)

導電率タイプ

P型

ナプソンEC-80TPN

P/N

ドーパント

ホウ素、ガリウム

-

酸素濃度[Oi]

≦8E+17at/ cm3

FTIR(ASTM F121-83)

炭素濃度[Cs]

≦5E+16at/ cm3

FTIR(ASTM F123-91)

エッチングピット密度(転位密度)

≦500cm-3

優先エッチング技術(ASTMF47-88)

表面配向

& lt; 100>±3°

X線回折法(ASTM F26-1987)

疑似正方形の辺の向き

& lt; 010>、& lt; 001>±3°

X線回折法(ASTM F26-1987)

2 電気的性質

プロパティ

仕様

検査方法

抵抗率

0.5-1.5Ωcm

ウェーハ検査システム

MCLT(マイノリティキャリアの寿命)

≧50 μs

シントンBCT-400

(注入レベル:1E15 CM-3)

3ジオメトリ



プロパティ

仕様

検査方法

ジオメトリ

フルスクエア


ウェーハ辺の長さ

158.75±0.25mm

ウェーハ検査システム

ウェーハ径

φ223±0.25mm

ウェーハ検査システム

隣接する辺の間の角度

90° ± 0.2°

ウェーハ検査システム

厚さ

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

ウェーハ検査システム

TTV(総厚変動)

≤27 µm

ウェーハ検査システム



image

4 表面特性

プロパティ

仕様

検査方法

切断方法

DW

--

表面品質

カットおよびクリーニング済みで、目に見える汚染はありません(油またはグリース、指紋、石鹸の汚れ、スラリーの汚れ、エポキシ/接着剤の汚れは許可されていません)

ウェーハ検査システム

のこぎり/ステップ

≤ 15µm

ウェーハ検査システム

弓

≤ 40 µm

ウェーハ検査システム

ワープ

≤ 40 µm

ウェーハ検査システム

チップ

深さ≤0.3mmおよび長さ≤0.5mm最大2 /個; Vチップなし

裸眼またはウェーハ検査システム

微小な亀裂/穴

禁止されている

ウェーハ検査システム




人気ラベル: p型フルスクエア単結晶ソーラーウェーハ、中国、サプライヤー、メーカー、工場、中国製

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