【製品導入】
材料特性
パラメータ | 特性 | ASTM制御方法 |
タイプ/ドーパント | P、ホウ素N、リンN、アンチモンN、ヒ素 | F42 |
オリエンテーション | <100>、<111>は顧客の仕様に従って方向を切り落とします111>100> | F26 |
酸素含有量 | 10 19 ppmA顧客仕様ごとのカスタム許容誤差 | F121 |
炭素含有量 | <0.6>0.6> | F123 |
比抵抗範囲 - P、ホウ素 - N、リン - N、アンチモン - N、ヒ素 | 0.001〜50オーム・cm | F84 |
機械的性質
パラメータ | プライム | モニター/テストA | テスト | ASTM法 |
直径 | 150±0.2 mm | 150±0.2 mm | 150±0.5 mm | F613 |
厚さ | 675±20 µm(標準) | 675±25μm(標準)450±25μm625±25μm1000±25μm1300±25μm1500±25μm | 675±50 µm(標準) | F533 |
TTV | <5>5> | <10>10> | <15>15> | F657 |
弓 | <30>30> | <30>30> | <50>50> | F657 |
ラップ | <30>30> | <30>30> | <50>50> | F657 |
エッジ丸め | SEMI-STD | F928 | ||
マーキング | プライマリSEMIフラット、SEMI-STDフラットJeidaフラット、ノッチ | F26、F671 | ||
表面品質
パラメータ | プライム | モニター/テストA | テスト | ASTM法 |
前面基準 | ||||
表面状態 | ケミカルメカニカルポリッシュ | ケミカルメカニカルポリッシュ | ケミカルメカニカルポリッシュ | F523 |
表面粗さ | <2>2> | <2>2> | <2>2> | |
汚染、パーティクル@> 0.3 µm | = 20 | = 20 | = 30 | F523 |
ヘイズ、ピット、オレンジピール | 無し | 無し | 無し | F523 |
のこぎり、条線 | 無し | 無し | 無し | F523 |
裏面基準 | ||||
ひび、しわ、しみ、しみ | 無し | 無し | 無し | F523 |
表面状態 | 苛性エッチング | F523 | ||
【 商品説明 】
マイクロフルイディクス用途に最適です。 マイクロエレクトロニクスまたはMEMSアプリケーションの場合、詳細な仕様についてはお問い合わせください。
半導体デバイスは縮小し続けており、ウェーハの表面と裏面の両方に高い表面品質を持たせることがますます重要になっています。 現在、これらのウェハは、微小電気機械システム(MEMS)、ウェハボンディング、シリコンオンインシュレータ(SOI)製造、および厳しい平坦性が要求される用途において最も一般的である。 Microelectronicsは半導体業界の発展を認め、すべての顧客の要求に対して長期的な解決策を見出すことを約束します。
100mmから300mmまでの範囲のすべてのウェーハ直径の両面研磨ウェーハを多数在庫。 お客様の仕様が在庫にない場合は、独自の仕様に合わせてウェハをカスタム製造できる多数のベンダーと長期的な関係を築いています。 両面研磨ウェーハは、シリコン、ガラス、および半導体業界で一般的に使用されている他の材料で入手可能である。
あなたの要求に従ってカスタマイズされたダイシングそして磨くこともまた利用できる。 お気軽にお問い合わせ下さい。
【 商品の特徴 】
・ 6 "P / Nタイプ、研磨シリコンウェハ(25個)
・ オリエンテーション:150
・ 比抵抗:0.1〜40オーム・cm(バッチごとに異なります)
・ 厚さ:675 +/- 20um
・ プライム/モニター/テストグレード
人気ラベル: 6インチ(150mm)ウェーハ、中国、サプライヤー、メーカー、工場、中国製









