金属アシストケミカルエッチング(MACE)は、パターン化された金属膜から高アスペクト比半導体ナノ構造体を製造することができる、最近開発された異方性ウェットエッチング法です。
MACEプロセスを記述するよく受け入れられたモデルでは、オキシダントの表面で還元することが好ましい金属触媒、正孔(h+)は、Siまたは電子に金属触媒から注入され、Siから金属触媒に移される。金属触媒の下のSiは最大穴の集中したがって、酸化Siの溶解は金属触媒の下に優先的に起こる。
SiNWsが使用すると太陽エネルギー変換効率が高まることが分かります。高アスペクト比は、スラー光照射の表面に採用されています。
1 表面状態
パラメーター | 過程 | 反射率 |
表側 | ||
表面状態 | メタル アシストケミカルエッチング | 低い |
裏側 | ||
表面状態 | ポリッシュまたはテクスチャ | 高または低 |
2 材料特性
財産 | 仕様 | 検査方法 |
成長法 | 指向性固化 | XRD |
結晶 | 多 結晶 | 優等エッチング技術（ASTM F47-88） |
導電タイプ | Pタイプ | ナップソン EC-80TPN P/N |
ドーパント | 硼素 | - |
酸素濃度[大井] | ≦1E +17 at/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
炭素濃度[Cs] | ≦1E +18 at/cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
3 電気特性
財産 | 仕様 | 検査方法 |
比 抵抗 | 0.5-2 Ωcm(アニール後) | ウエハ検査システム |
MCLT (マイノリティキャリアの寿命) | ≧2 μs | シントン QSSPC |
4 幾何学
財産 | 仕様 | 検査方法 |
幾何学 | 正方形または長方形 | ウエハ検査システム |
ベベル エッジの形状 | 線 | ウエハ検査システム |
ウエハーサイズ (側面の長さ*側面の長さ) | 156mm*156mm 157mm*186mm 166mm*166mm | ウエハ検査システム |
隣接する辺の間の角度 | 90±3° | ウエハ検査システム |
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