N型モノ両面受光型HJT太陽電池セル

シリコンヘテロ接合技術 (HJT) は、非常によく洗浄された厚さ 200 μm 未満の単結晶シリコンウェーハの両面にアモルファスシリコンの極薄層 (-Si:H) を低温成長させることによって生成されるエミッタおよび裏面電界 (BSF) に基づいており、そこで電子と正孔が光生成されます。セルプロセスは、優れた特性を可能にする透明導電性酸化物の堆積によって完了します。金属化。金属被覆は、業界の大部分のセルに広く使用されている標準的なスクリーン印刷、または革新的な技術によって行うことができます。

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製品説明

HJT セルのコア構造

シリコンヘテロ接合技術 (HJT) は、非常によく洗浄された厚さ 200 μm 未満の単結晶シリコンウェーハの両面にアモルファスシリコンの超薄層 (a-Si:H) を低温成長させることによって生成されるエミッタおよび裏面電界 (BSF) に基づいており、そこで電子と正孔が光生成されます。

HJTセルの製造プロセス

セルのプロセスは、優れたメタライゼーションを可能にする透明導電性酸化物の堆積によって完了します。金属被覆は、業界の大部分のセルに広く使用されている標準的なスクリーン印刷、または革新的な技術によって行うことができます。

HJT テクノロジーの利点

ヘテロ接合技術 (HJT) シリコン太陽電池は、プロセス全体で通常 250 度未満の低温プロセスを使用しながら、最大 25% の高い変換効率を達成できるため、多くの注目を集めています。処理温度が低いため、高い歩留まりを維持しながら、厚さ 100 μm 未満のシリコンウェーハの取り扱いが可能になります。

処理の流れ

Process flow A black

主な特徴

高Eff、高Voc

低い温度係数 5 ～ 8% の出力ゲイン

両面構造

【技術資料】

HJT solar cell Technical Data 1R

技術データと設計		温度係数とはんだ付け性
寸法	156.75mm*156.75mm±0.25	TkUoc (%/K)	-0.27
厚さ	190±30 µm	TkIsc (%/K)	+0.05
フロント	5 バスバー	TkPMAX (%/K)	-0.336
戻る	5 バスバー	最小剥離強度	>1.4N/mm

HJT solar cell Technical Data 2R

いいえ。	効率（％）	うーん(W)	ウォック(V)	Isc(A)	FF (%)
1	23.50	5.74	0.743	9.6	80.53
2	23.40	5.72	0.741	9.592	80.43
3	23.30	5.70	0.74	9.585	80.33
4	23.20	5.67	0.738	9.577	80.24
5	23.10	5.65	0.737	9.57	80.14
6	23.0	5.63	0.735	9.562	80.04
7	22.90	5.60	0.733	9.554	79.94
8	22.80	5.58	0.732	9.547	79.84
9	22.70	5.55	0.73	9.539	79.75
10	22.60	5.53	0.729	9.532	79.65
11	22.50	5.51	0.727	9.524	79.55
12	22.40	5.48	0.725	9.516	79.45
13	22.30	5.46	0.724	9.509	79.36
14	22.20	5.44	0.722	9.501	79.26
15	22.10	5.41	0.721	9.494	79.16
16	22.00	5.39	0.719	9.486	79.06
17	21.90	5.37	0.717	9.479	78.97
18	21.80	5.35	0.716	9.471	78.87
19	21.70	5.32	0.714	9.463	78.77
20	21.60	5.30	0.712	9.456	78.67
21	21.50	5.28	0.711	9.448	78.57