N型シリコン太陽電池

シリコン ヘテロ接合技術 (HJT) は、非常によく洗浄された厚さ 200 μm 未満の単結晶シリコン ウェーハの両面にアモルファス シリコンの極薄層 (-Si:H) を低温成長させることによって生成されるエミッタおよび裏面電界 (BSF) に基づいており、そこで電子と正孔が光生成されます。セル

低い LID 優れた対 PID 性能 低いセル対モジュール (CTM) 損失率、高効率モジュールに最適 相対変換効率 低照度下 (200W/m²) で 92 % 以上 正面効率 25 % 以上、両面受光率 80% 以上

210mm M12 シリコン ヘテロジャンクション テクノロジー (HJT) 太陽電池は、効率 24.4%、定格電力 10.76W/セルです。

シリコン ヘテロ接合技術 (HJT) は、非常によく洗浄された単結晶シリコン ウエハーの両面にアモルファス シリコン (a-Si:H) の極薄層を低温成長させることによって生成されるエミッターおよび裏面電界 (BSF) に基づいています。 、厚さ 160 μm 未満、6.69Watt/cell@24.4% 効率。

TOPCON (トンネル酸化物パッシベーション コンタクト) 技術により、N 型太陽電池の効率が最大 25% 向上します。産業用 210mm TOPCon 太陽電池は、最大 24.4% の効率と 10.76 ワットの定格電力を備えています。

TOPCON（トンネル酸化物不動態化接触）技術は、N型太陽電池の効率を最大24.5％向上させます。単結晶N型182mm TOPCon太陽電池は、定格電力8.08ワット、24.5％の効率です。両面太陽電池で構成された両面太陽電池パネルは、30％を生成できます。単面太陽電池パネルと比較してより多くの電力。

PERTテクノロジーからアップグレードされたTOPCON（トンネル酸化物パッシベーションコンタクト）テクノロジーとAlOx / SiNxパッシベーション層の組み合わせにより、Nタイプ166mm太陽電池の効率が最大24.4％向上します。単結晶Nタイプ166mm TOPCon太陽電池は、定格電力6.69ワット、24.4％の効率です。

N型モノ両面PERT（パッシベーションエミッタリア全拡散）シリコン太陽電池は、高い安定した変換効率を備えています.n型両面PERT太陽電池は、優れたエミッタ接合品質のために片面ドーピング用のイオン注入を使用することにより、プロセスフローで製造できます均一性、単一の熱アニール、統合されたAlOx / SiNxパッシベーション層、および前面と背面にスクリーン印刷されたAgグリッド。

N型モノ両面PERT（パッシベーションエミッタリア完全拡散）シリコン太陽電池は、高い安定した変換効率を備えています。N型シリコン太陽電池は、そのおかげで次世代の高効率太陽電池のp型太陽電池の有望な代替品と見なされています。光による劣化に耐え、一般的な金属不純物に対する耐性が高いn型両面PERT太陽電池は、片面ドーピング用のイオンインプラントを使用してプロセスフローで製造でき、優れたエミッタ接合品質

ディジタイズバックコンタクト(IBC)セル構造では、エミッタとコンタクトは、エミッタとコンタクトの電子特性に対する光学特性および背面面の独立した最適化を可能にするウェハの裏側の両方にあります。IBC太陽電池は集中または1日の照明の優秀な性能を示した。この設計の利点は、薄いデバイス設計による太陽側の接触グリッドシェーディングと潜在的に低い基板コストが存在することです。さらに、両方の接点が背面にあるた

N型モノ二顔面PERT(パッシベーションエミッタリア完全に拡散)シリコン太陽電池は、高く安定した変換効率を有します。N型シリコン太陽電池は、光による劣化に耐える能力と、一般的な金属不純物に対する耐性が高いため、次世代の高効率太陽電池用P型太陽電池に代わる有望な代替手段と考えられています。n型二顔面PERT太陽電池は優秀なエミッタ接合質および均一性のための単一側面のドーピングのためのイオンインプラン