N型166mm M6 HJT太陽電池

シリコンヘテロ接合技術 (HJT) は、非常によく洗浄された単結晶シリコンウエハーの両面にアモルファスシリコン (a-Si:H) の極薄層を低温成長させることによって生成されるエミッターおよび裏面電界 (BSF) に基づいています。、厚さ 160 μm 未満、6.69Watt/cell@24.4% 効率。

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【製品説明】

シリコンヘテロ接合技術 (HJT) は、非常によく洗浄された単結晶シリコンウエハーの両面にアモルファスシリコン (a-Si:H) の極薄層を低温成長させることによって生成されるエミッターおよび裏面電界 (BSF) に基づいています。、厚さ160μm未満で、電子と正孔が光生成されます。

HJT solar cell structure 400 Profile2

【プロセスフロー】

Process flow A black

【主な特長】

高効率・高Voc

低温度係数 5-8 パーセントの電力出力ゲイン

両面構造

【主な機能】

高効率・高Voc

低温度係数 5-8 パーセントの電力出力ゲイン

両面構造

【技術データ】

技術データとデザイン		温度係数とはんだ付け性
寸法	166mm*166mm±0.25	TkUoc (パーセント/K)	-0.192
厚さ	150 プラス 20 μm/-10 μm	TkIsc (パーセント/K)	プラス 0.035
フロント	9×0.1mm 溶接スポット型前面電極	TkPMAX (パーセント/K)	-0.236
戻る	9×0.1mm 溶接スポット型裏面電極	剥離強度最小	>1.4N/mm

STC の電気的パラメータ
いいえ。	効率 (パーセント)	Pmpp (W)	ウオク (V)	Isc (A)	ウンプ (V)	インプ (A)	FF (パーセント)
1	24.40	6.69	0.746	10.758	0.644	10.386	83.35
2	24.30	6.66	0.746	10.754	0.644	10.352	83.10
3	24.20	6.63	0.745	10.750	0.643	10.318	82.84
4	24.10	6.61	0.745	10.745	0.643	10.282	82.56
5	24.00	6.58	0.744	10.740	0.642	10.245	82.27
6	23.90	6.55	0.744	10.728	0.642	10.210	82.06
7	23.80	6.52	0.744	10.716	0.641	10.175	81.84
8	23.70	6.50	0.744	10.683	0.642	10.124	81.76
9	23.60	6.47	0.744	10.649	0.642	10.072	81.67
10	23.50	6.44	0.743	10.628	0.640	10.072	81.64
11	23.40	6.41	0.741	10.607	0.637	10.072	81.61
12	23.30	6.39	0.741	10.602	0.635	10.058	81.35
13	23.20	6.36	0.740	10.596	0.633	10.043	81.09
14	23.10	6.34	0.741	10.563	0.635	9.979	80.88
15	23.00	6.31	0.742	10.530	0.636	9.914	80.67
16	22.90	6.28	0.742	10.504	0.635	9.890	80.57
17	22.80	6.25	0.742	10.477	0.634	9.865	80.46
18	22.70	6.23	0.741	10.488	0.632	9.850	80.18
19	22.60	6.20	0.739	10.499	0.630	9.834	79.89
20	22.50	6.17	0.738	10.496	0.629	9.809	79.72
21	22.40	6.14	0.736	10.493	0.628	9.784	79.54