【製品説明】
シリコン ヘテロ接合技術 (HJT) は、非常によく洗浄された単結晶シリコン ウエハーの両面にアモルファス シリコン (a-Si:H) の極薄層を低温成長させることによって生成されるエミッターおよび裏面電界 (BSF) に基づいています。 、厚さ160μm未満で、電子と正孔が光生成されます。
ヘテロ接合技術 (HJT) シリコン太陽電池は、プロセス全体で通常 250 度未満の低温処理を使用しながら、最大 25% の高い変換効率を達成できるため、多くの注目を集めています。 処理温度が低いため、高歩留まりを維持しながら、厚さ100μm未満のシリコンウェーハの処理が可能です。
【プロセスフロー】
【主な特長】
高効率・高Voc
低温度係数 5-8 パーセントの電力出力ゲイン
両面構造
【技術データ】
技術データとデザイン | 温度係数とはんだ付け性 | |||
寸法 | 210mm*210mm±0.25 | TkUoc (パーセント/K) | -0.27 | |
厚さ | 150 プラス 20 μm/-10 μm | トキイスク (パーセント/K) | プラス 0.055 | |
フロント | 12*0.06mm バスバー (シルバー)、54 フィンガー (シルバー) | TkPMAX (パーセント/K) | -0.26 | |
戻る | 12*0.06mm バスバー (シルバー),74 本の指 (シルバー) | 剥離強度最小 | >1N/mm | |
STC の電気的パラメータ | |||||||
いいえ。 | 効率 (パーセント) | Pmpp (W) | ウオク (V) | Isc (A) | ウンプ (V) | インプ (A) | FF (パーセント) |
1 | 24.4 | 10.76 | 0.653 | 16.482 | 0.749 | 17.142 | 83.83 |
2 | 24.3 | 10.72 | 0.652 | 16.436 | 0.748 | 17.116 | 83.70 |
3 | 24.2 | 10.68 | 0.651 | 16.392 | 0.748 | 17.092 | 83.50 |
4 | 24.1 | 10.62 | 0.650 | 16.350 | 0.747 | 17.054 | 83.38 |
5 | 24.0 | 10.58 | 0.649 | 16.306 | 0.747 | 17.048 | 83.11 |
6 | 23.9 | 10.54 | 0.647 | 16.300 | 0.747 | 17.030 | 82.90 |
7 | 23.8 | 10.50 | 0.646 | 16.258 | 0.746 | 17.000 | 82.75 |
8 | 23.7 | 10.46 | 0.644 | 16.220 | 0.746 | 16.974 | 82.59 |
9 | 23.6 | 10.40 | 0.643 | 16.184 | 0.745 | 16.964 | 82.34 |
10 | 23.5 | 10.36 | 0.642 | 16.152 | 0.745 | 16.956 | 82.02 |
11 | 23.4 | 10.32 | 0.640 | 16.120 | 0.745 | 16.948 | 81.76 |
12 | 23.3 | 10.28 | 0.638 | 16.094 | 0.744 | 16.946 | 81.46 |
13 | 23.2 | 10.24 | 0.636 | 16.092 | 0.744 | 16.938 | 81.20 |
14 | 23.1 | 10.18 | 0.634 | 16.062 | 0.743 | 16.922 | 80.97 |
15 | 23.0 | 10.14 | 0.633 | 16.022 | 0.743 | 16.916 | 80.69 |
16 | 22.9 | 10.10 | 0.631 | 16.004 | 0.743 | 16.916 | 80.39 |
17 | 22.8 | 10.06 | 0.630 | 15.958 | 0.742 | 16.910 | 80.11 |
18 | 22.7 | 10.00 | 0.629 | 15.914 | 0.742 | 16.904 | 79.86 |
19 | 22.6 | 9.96 | 0.628 | 15.860 | 0.741 | 16.900 | 79.58 |
【スペクトル応答】
【強度依存性】
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