Pタイプ156mm単結晶ソーラーウェーハ

Pタイプ156mm単結晶ソーラーウェーハ

単結晶ウェーハの生産フローは、切断、洗浄、選別の手順で構成されています。 現在、PVの世界的なCz-Si結晶生産能力の80%以上がp型に専念しています。
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説明
技術的なパラメーター

Monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


単結晶ウェーハの生産フローは、切断、洗浄、選別の手順で構成されています。現在、PVの世界的なCz-Si結晶生産能力の80%以上がptyp専用です。e.


1 材料特性

プロパティ

仕様

検査方法

成長法

CZ


結晶化度

単結晶

優先エッチング技術(ASTMF47-88)

導電率タイプ

P型

ナプソンEC-80TPN

P/N

ドーパント

ホウ素、ガリウム

-

酸素濃度[Oi]

≦9E+17at/ cm3

FTIR(ASTM F121-83)

炭素濃度[Cs]

≦5E+16at/ cm3

FTIR(ASTM F123-91)

エッチングピット密度(転位密度)

≦500cm-3

優先エッチング技術(ASTMF47-88)

表面配向

& lt; 100>±3°

X線回折法(ASTM F26-1987)

疑似正方形の辺の向き

& lt; 010>、& lt; 001>±3°

X線回折法(ASTM F26-1987)

2 電気的性質

プロパティ

仕様

検査方法

抵抗率

1〜3Ωcm(焼きなまし後)

ウェーハ検査システム

MCLT(マイノリティキャリアの寿命)

≧20 μs

シントンQSSPC

3 ジオメトリ

プロパティ

仕様

検査方法

ジオメトリ

疑似スクエア


斜角エッジ形状

円形


ウェーハサイズ

(辺の長さ*辺の長さ*直径

M0:156 * 156 * ϕ210 mm

M1:156.75 * 156.75 * ϕ205mm

M2:156.75 * 156.75 * ϕ210 mm

ウェーハ検査システム

隣接する辺の間の角度

90±3°

ウェーハ検査システム



人気ラベル: Pタイプ156mm単結晶ソーラーウェーハ、中国、サプライヤー、メーカー、工場、中国製

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