太陽光発電業界では、ウェーハ技術の移行は疑似正方形からのシフトをもたらします156.75x156.75mm M2からフルスクエア158.75x158.75mmのより大きなウェーハサイズ。これには、p型およびn型のモノSiウェーハが含まれます。
最先端のフルスクエアモノウェーハは、スクエアメジャーを拡張することにより、同じレベルのマルチウェーハへの露光を最大化しました。 ウェーハは常に完全に正方形であるため、PVモジュールに最適な方法で適合します。
1 材料特性
プロパティ | 仕様 | 検査方法 |
成長法 | CZ | |
結晶化度 | 単結晶 | 優先エッチング技術（ASTMF47-88） |
導電率タイプ | N型 | ナプソンEC-80TPN |
ドーパント | リン | - |
酸素濃度[Oi] | ≦8E+17at/ cm3 | FTIR（ASTM F121-83） |
炭素濃度[Cs] | ≦5E+16at/ cm3 | FTIR（ASTM F123-91） |
エッチングピット密度（転位密度） | ≦500cm-3 | 優先エッチング技術（ASTMF47-88） |
表面配向 | & lt; 100>±3° | X線回折法（ASTM F26-1987） |
疑似正方形の辺の向き | & lt; 010>、& lt; 001>±3° | X線回折法（ASTM F26-1987） |
2 電気的性質
プロパティ | 仕様 | 検査方法 |
抵抗率 | 0.3-2.1Ω.cm 1.0-7.0Ω.cm | ウェーハ検査システム |
MCLT（マイノリティキャリアの寿命） | 1000μs以上（抵抗率0.3-2.1Ω.cm） | シントントランジェント |
3 ジオメトリ
プロパティ | 仕様 | 検査方法 |
ジオメトリ | フルスクエア | |
ウェーハ辺の長さ | 158.75±0.25mm | ウェーハ検査システム |
ウェーハ径 | φ223±0.25mm | ウェーハ検査システム |
隣接する辺の間の角度 | 90° ± 0.2° | ウェーハ検査システム |
厚さ | 180 ﹢ 20/﹣10 µm; 170﹢20/﹣10 µm | ウェーハ検査システム |
TTV（総厚変動） | ≤ 27 µm | ウェーハ検査システム |
4 表面特性
プロパティ | 仕様 | 検査方法 |
切断方法 | DW | -- |
表面品質 | カットおよびクリーニング済みで、目に見える汚染はありません（油またはグリース、指紋、石鹸の汚れ、スラリーの汚れ、エポキシ/接着剤の汚れは許可されていません） | ウェーハ検査システム |
のこぎり/ステップ | ≤ 15µm | ウェーハ検査システム |
弓 | ≤ 40 µm | ウェーハ検査システム |
ワープ | ≤ 40 µm | ウェーハ検査システム |
チップ | 深さ≤0.3mmおよび長さ≤0.5mm最大2 /個; Vチップなし | 裸眼またはウェーハ検査システム |
微小な亀裂/穴 | 禁止されている | ウェーハ検査システム |
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