4H N-タイプSiC基板

N- 型 SiC 基板は、高度なパワー半導体製造におけるホモエピタキシャル成長用に設計されています。優れた電気的および熱的性能を備えたこの高性能 SiC 基板は、電気自動車、太陽光発電システム、風力発電、その他の新エネルギー技術にわたる高出力アプリケーションに適しています。製品範囲には、量産および世界供給向けの 6- インチおよび 8 インチの SiC ウェーハが含まれており、次世代パワー半導体アプリケーションに利用可能な 12 インチ基板の生産能力も備えています。