製品紹介
半絶縁性 SiC 基板は、高い抵抗率と優れた熱特性を備えているため、GaN ヘテロエピタキシャル成長や高周波 RF 半導体アプリケーションに適しています。-高いパフォーマンスとして-SiC基板5G インフラストラクチャを含む高度な通信システムの HEMT{0}} ベースのデバイスに広く使用されています。
これらの半絶縁体は-SiCウェーハまた、優れた光学特性と材料特性を提供し、オプトエレクトロニクスやウェアラブル エレクトロニクスにおける新たなアプリケーションをサポートします。{0}インチ SiC 基板は、AR グラスやその他の高度な光学デバイスなどの次世代アプリケーションの可能性をもたらします。{1}
仕様
| 6インチ | |
|---|---|
| 直径 | 150.0mm+0mm/-0.2mm |
| 面の配向 | {0001}±0.2 度 |
| プライマリフラット方向 | / |
| 二次平面方向 | / |
| 一次平坦長さ | ノッチ |
| 二次平面長さ | なし |
| ノッチの向き | <1100>±1.0度 |
| ノッチの深さ | なし端から 1mm+0.25mm/-0mm |
| ノッチ角度 | 90 度 +5 度 /-1 度 |
| 厚さ | 500.0um±25.0um |
| タイプ | 半絶縁性- |
| 8インチ | |
|---|---|
| 直径 | 200.0mm+0mm/-0.5mm |
| 面の配向 | {0001}±0.2 度 |
| プライマリフラット方向 | / |
| 二次平面方向 | / |
| 一次平坦長さ | ノッチ |
| 二次平面長さ | なし |
| ノッチの向き | <1100>±1.0度 |
| ノッチの深さ | なし端から 1mm+0.25mm/-0mm |
| ノッチ角度 | 90 度 +5 度 /-1 度 |
| 厚さ | 500.0um±25.0um |
| タイプ | 半絶縁性- |
| 12インチ | |
|---|---|
| 直径 | 300.0mm+0mm/-0.5mm |
| 面の配向 | {0001}±0.5 度 |
| プライマリフラット方向 | / |
| 二次平面方向 | / |
| 一次平坦長さ | ノッチ |
| 二次平面長さ | なし |
| ノッチの向き | <1100>±5.0度 |
| ノッチの深さ | なし端から 1mm+0.25mm/-0mm |
| ノッチ角度 | 90 度 +5 度 /-1 度 |
| 厚さ | 750.0um±25.0um |
| タイプ | 半絶縁性- |
証明書
人気ラベル: 4H 半絶縁性 SiC ウェーハ、中国、サプライヤー、メーカー、工場、中国製
