4H P-タイプSiCウェハ

P- タイプの SiC 基板は、ホモエピタキシャル成長と超高電圧パワー半導体デバイスの開発用に設計されています。--優れた電気特性と熱特性を備えたこの高性能-SiC基板超高圧送電やスマート グリッド インフラストラクチャなど、要求の厳しい高電力アプリケーションに適しています。{{1}{2}

これらの P- タイプSiCウェーハまた、鉄道輸送、産業用電力システム、および高電圧機能、信頼性、効率的な電力変換が必要とされるその他の高出力電気機器のアプリケーションもサポートしています。{0}{1}{1}

 

6インチ
直径	150.0mm+0mm/-0.2mm
面の配向	向かって4度<1120>±0.5度
一次平面長さ	47.5mm±1.5mm
プライマリフラット方向	<1120>±5.0度
ノッチの向き	/
ノッチ角度	/
ノッチの深さ	/
厚さ	350.0um±25.0um
ポリタイプ	4H
タイプ	p-タイプ

 

 

 

8インチ
直径	200.0mm+0mm/-0.2mm
面の配向	向かって4度<1120>±0.5度
一次平面長さ	ノッチ
プライマリフラット方向	/
ノッチの向き	<1100>±1.0度
ノッチ角度	90 度 +5 度 /-1 度
ノッチの深さ	1.0mm+0.25mm/-0mm
厚さ	350.0um±25.0um
ポリタイプ	4H
タイプ	p-タイプ

 

12インチ
直径	300.0mm±0.5mm
面の配向	向かって4度<1120>±0.5度
一次平面長さ	ノッチ
プライマリフラット方向	/
ノッチの向き	<1100>±5.0度
ノッチ角度	90 度 +5 度 /-1 度
ノッチの深さ	1.0mm+0.25mm/-0mm
厚さ	750.0um±25.0um
ポリタイプ	4H
タイプ	p-タイプ