N型M2単結晶シリコンウェーハは、丸みを帯びたコーナーを備えた準平面156.75×156.75 mmの設計を備えており、標準モジュールレイアウトと最適化されたライトキャプチャとの互換性のバランスをとっています。 CZメソッドとリンドーピングを使用して生産され、高い材料純度を提供します。<100>方向、および低脱臼密度（500cm⁻²以下）。 N型導電率、幅広い抵抗率の範囲（0.2〜12Ω・cm）、および高マイノリティの寿命（1000 µs以上）を使用すると、TopConやHJTなどの高効率セルテクノロジーをサポートします。 M2ウェーハは、主流のPVアプリケーションで安定したパフォーマンスのための実証済みの信頼性の高い形式のままです。
1。材料特性
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財産 |
仕様 |
検査方法 |
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成長方法 |
CZ |
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結晶性 |
単結晶 |
優先エッチング技術(ASTM F47-88) |
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導電率タイプ |
Nタイプ |
Napson EC-80TPN |
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ドーパント |
リン |
- |
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酸素濃度[OI] |
以下以上8e +17 at/cm3 |
FTIR（ASTM F121-83） |
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炭素濃度[CS] |
以下以上5e +16 at/cm3 |
FTIR（ASTM F123-91） |
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エッチングピット密度（転位密度） |
以下以上500 cm-2 |
優先エッチング技術(ASTM F47-88) |
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表面の向き |
<100>±3度 |
X線回折法（ASTM F26-1987） |
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擬似四角の側面の方向 |
<010>,<001>±3度 |
X線回折法（ASTM F26-1987） |
2.電気特性
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財産 |
仕様 |
検査方法 |
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抵抗率 |
0.2-2.0Ω.cm 0.5-3.5Ω.cm
1.0-7.0Ω.cm
1.5-12Ω.cm
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4プローブ抵抗率
測定
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MCLT（マイノリティキャリアライフタイム） |
1000 µs以上（抵抗率＞1.0Ω.cm） 500 µs以上（抵抗率）1.0Ω.cm
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シントンBCT-400 一時的
（注入レベル：5E14 cm-3)
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3.ジオメトリ
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財産 |
仕様 |
検査方法 |
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ジオメトリ |
準正方形
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バーニアキャリパー
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直径
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210±0.25 mm
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バーニアキャリパー |
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フラットからフラット
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156.75±0.25 mm
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バーニアキャリパー
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コーナーの長さ
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8.5±0.5mm
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ワイドシートスクエア/ルーラー
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角度
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90度±0.2度 |
アングルルーラー
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コーナーシェイプ
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丸い形
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目視検査
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垂直
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0.8 mm以下
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TTV（総厚さの変動） |
以下以上 27 µm |
ウェーハ検査システム |
4.表面特性
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財産 |
仕様 |
検査方法 |
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表面の質
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汚れ、オイル、スクラッチ、亀裂、ピット、バンプ、
ピンホールとツインの欠陥はそうではありません
許可された
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目視検査
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チップ
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表面チップは許可されていません。
Arris：チップは同意しません：
ARRISで10未満、0.3mm以下のDIA。
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ルーラー
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表面ラフネ
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平面表面：RAは0.6um以下。
キャンバー付き表面：1.0um以下のRA
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表面粗さメーター
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